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给出两种离子注入掺杂用到的掩膜

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42阅读 | 0人回复 | 2024-07-08 20:54:15

本帖由 dTO ... 发布,如有侵权联系删除 IP属地:湖北

离子注入掺杂是一种常见的半导体工艺,用于改变半导体材料的电学特性。在离子注入的过程中,需要使用掩膜来选择性地控制离子的注入位置。以下是两种常用的掩膜材料:

  1. 光刻胶(Photoresist)掩膜:光刻胶是一种覆盖在半导体表面的光敏感材料。首先,在半导体表面涂覆一层光刻胶,然后通过光刻技术,将光刻胶暴露在紫外光下,形成预定图案。接着,利用化学腐蚀或离子刻蚀等方法,将未曝光的光刻胶去除,形成掩膜。最后,利用离子注入设备,选择性地将离子注入到暴露的半导体表面。光刻胶掩膜具有较高的分辨率和精度,广泛应用于微电子工艺中。

  2. 金属掩膜:金属掩膜通常用于高能离子注入。金属掩膜的制作过程相对简单,可以通过物理蒸镀或电子束蒸镀等方法,在半导体表面形成一层金属薄膜。然后,使用光刻和蚀刻技术,将金属膜去除部分形成预定图案,形成掩膜。金属掩膜可以提供较高的注入精度和较高的耐辐照性能,适用于一些特殊的离子注入应用。

这两种掩膜材料在离子注入掺杂中具有不同的特点和应用范围,具体选择取决于工艺需求和设备条件。

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